虽然在芯片代工、制造以及设计部分，我国本土的企业和海外的差距还是很大，也严重依赖海外相关的技术和设备，但是在芯片测试这部分，国内不少芯片公司都做得不错。尽管中国台湾也有不少芯片测试公司，而且从规模和技术上都要强于国内企业，不过现在国内芯片和半导体的需求和发展都很快，考虑到芯片设计领域的技术保密性，国内越来越多的大型芯片设计公司逐渐将测试需求转向国内，并优先选择国内的测试公司。所以在这部分，国内芯片测试公司的前景是看好的。
近日国内芯片测试公司利扬官方宣布，公司完成全球第一颗3nm芯片测试开发。这也是全球首家正式宣布完全3nm芯片测试的企业，也算是给国内芯片测试行业打下了一剂强心针。利扬公司实际上在过去已经在8nm和5nm芯片产品上为多家客户提供量产测试服务，这次3nm先进制程工艺的芯片测试方案成功，标志着利扬公司完成全球第一颗3nm芯片的测试开发，并向量产测试阶段有序推进。
广东利扬芯片测试股份有限公司成立于2010年2月，目前已于2020年11月11日在上海证券交易所科创板挂牌上市。这家公司在国内也算有代表性的芯片测试公司，尽管规模现在来看在国际上不算太大，不过国内多个芯片公司都是他们的合作伙伴，比较知名的有全志、智芯微、紫光等等。之前利扬在受采访的时候也曾经介绍过，未来芯片测试产业在60亿美元至70亿美元之间，而利扬的愿望是未来做到全球最大的芯片测试基地。
当然利扬只是做芯片测试工作，而芯片的设计和制造，和利扬是没有关系的。现在的问题是，作为全球首个完成测试的3nm芯片，这颗芯片是哪家公司的，又是由哪家代工厂制造的……不过利扬并没有透露相关的信息。可以肯定的是，国内主流的芯片公司暂时不会设计3nm的芯片，而能生产3nm芯片的公司，目前只有三星和台积电，且暂时无法产量。
其实如果仔细分析，我们大概能猜出这颗3nm芯片的用途以及设计公司。代工这颗3nm芯片反正不是三星就是台积电，而利扬的合作伙伴基本都是国内芯片公司，而国内芯片公司目前没有为手机、电脑设计芯片的能力，那么最大的可能就是矿机芯片。因为国内设计的先进工艺芯片，只有矿机才会对先进工艺有极大的需求，毕竟矿机本身价格高昂，考虑到功耗发热等问题，先进工艺能为矿机公司以及用户带来更高的收益。
从利扬的合作伙伴来看，其中最大的合作伙伴之一就是深圳矿机生产公司比特微，比特微之前曾设计了28nm、16nm、7nm的矿机芯片，所以如果设计出3nm的矿机芯片，并且交由代工厂试产后测试，也是比较合理的猜测。而且之前在三星宣布量产3nm芯片时，韩国的新闻渠道就曾表示三星3nm前期的客户可能只有中国的矿机公司……这样种种信息汇总起来，这颗全球首个完成3nm测试的芯片，很可能就是国内公司设计的3nm矿机芯片。
不管如何，利扬能成为首个测试3nm芯片的公司，本身也是一件值得关注的事情，不管这颗芯片到底是谁设计生产的，也不管芯片的用途是什么，这对于国内芯片测试行业来说，还是有着积极的意义。
终于，在2022年上半年的最后一天，三星宣布3nm芯片量产，成为全球第一家量产3nm芯片的厂商，实现了三星的第一个小目标--领先台积电，兑现了自己的承诺。
同时三星也表示，3nm芯片相比于自己的5nm芯片，性能提升了23%，功耗降低了45%，芯片面积缩小了16%。
不得不说，这些数值也表现非常棒，特别是功耗降低45%，让下游的客户心动不已。毕竟当芯片进入到5nm之后，功耗大增，已经让厂商们头痛不已了。
特别是高通，自从芯片进入5nm之后，由于功耗太大，发热量也上升，于是骁龙888、骁龙8Gen1都获得了“火龙称号”。
如果3nm能够降低45%功耗，想必高通是最兴奋的厂商之一，因为“驯龙”有戏，“火龙”有救了啊。
那么问题来了，为何三星的3nm工艺，能降低45%的功耗？原因在于三星采用了GAAFET晶体管技术，而之前从14-4nm，采用的是FinFET晶体管技术。
对于一颗芯片而言，功耗分为两个部分，一个部分是动态功耗，一部分是静态功耗（又称漏电功耗）。
动态功耗是指芯片进行计算时，本身的功耗。而静态功耗，则是芯片加上电之后，电流通过晶体管时，泄露的功耗。
别小看静态功耗，静态功耗才是大头，占一颗芯片总功耗的60%以上，晶圆厂一直就在与静态功耗（漏电功耗）对作，比如英特尔，一直就在讲自己的漏电功功降低了。台积电之前有个“台漏电”的称号，也是讲这一块控制得不佳。
而使用GAAFET晶体管技术时，由于技术更先进，相比于FinFET技术，加到晶体管上的电压（阈值电压）变小了。大家回忆下初中物理知识，功率=电流X电压。
当电压变小时，是不是功耗就变小了？由于GAAFET相比FinFET的阈值电压要低30-50%，所以静态功耗理论上也就变小30-50%。
再加上3nm工艺更精细，在动态功耗上也会有降低，以及GAAFET晶体管技术，本身漏电情况也会稍好一点，所以最终实现了45%的功耗降低。
而三星还表示第二代 3 纳米 GAA 制造工艺也正在研发中第二代工艺将使芯片功耗降低达 50%，性能提高 30%，面积减少 35%。
可以说，三星的3nm工艺，比依然采用FinFET工艺的台积电3nm，真的是更有优势的。
考虑到当前台积电已经绑定了苹果、AMD等厂商，三星为了抢台积电的市场，这次是拥抱中国厂商了，据媒体报道称，上海磐矽半导体将成为最初的客户之一，另外还有更多的中国企业，可能会率先与三星合作3nm。
不知道接下来台积电如何应对，基于FinFET技术，本来就落后一些，现在时间又落后一些，台积电已经处于劣势了。
就看三星3nm的率良高不高了，如果良率高，表现好，这一把说不定真有翻身机会，就像当年三星在FinFET技术上，率先实现14nm一样。
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